加拿大pc28在线预测飞飞 这三种先进芯片测试本事，值得存眷！

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在先进电子居品规模，举例智妙手机和计较机中的袖珍芯片，确保这些芯片正常责任至关热切。测试这些芯片的措施有好多种，面前用作启航点进本事的三种热切本事是节能测试、多层和垂直芯片测试以及镶嵌式中枢组件测试。这些测试本事共同确保为咱们的开垦供电的芯片节能、更快、更可靠，从而使咱们的电子居品更智能、使用寿命更长。

看成主题先容的一部分，这里有一些可供相识见识的基础术语。

节能测试

指的是在测试过程中瞩目诽谤功耗以确保电子开垦节能的测试措施。

跟着芯片贪图中不同部件的组合以及芯片本人的变小，它所能实施的任务也变得越来越复杂。这导致需要测试的数据量和测试芯片所需的时刻明显增多。与正常责任比较，芯片在测试时期破钞的电量要多得多。

因此，芯片可能会变得过热，导致测试荒唐、可靠性问题、可用芯片数目减少（产量问题），大约在最坏的情况下损坏开垦。这即是为什么东说念主们越来越存眷节能的测试措施，以防患这些问题。

底下先容在测试过程中诽谤芯片功耗的主要措施。

幼稚耗自动测试模式生成（ATPG）措施专注于创建减少芯片中发生的活动量的测试模式，从而诽谤测试时期使用的功率而不影响芯片的尺寸或性能。

遴荐扫描贪图的芯片节能测试措施主要包括四种本事：

第一种措施是在全扫描电路中添加一个轨则模块，用于不停扫描电路中的输入信号，以减少电路中无用要的活动，从而有助于省俭动力。

第二种措施称为扫描旅途分段。它将扫描旅途分红几段，这么不错在不蔓延测试时刻的情况下落低测试时期的能耗。

第三种措施由 Whetzel 等东说念主冷漠，他们引入了自合适电路来轨则扫描电路中的信号流。这种措施允许安详轨则每条扫描旅途，从而减少能耗。

第四种措施侧重于增强时钟系统。举例，一种措施使用多个扫描旅途，每个旅途王人有我方的时钟，以处理测试的不同部分。另一种由 Bonhomme 等东说念主冷漠的措施是使用不错关闭的时钟（门控时钟）或由时钟树供电的时钟来更有用地不停不同的扫描旅途。

测试数据压缩的节能措施旨在诽谤扫描过程中的功耗和测试过程中的测试数据量。面前，数据压缩措施主要有三种类型：

使用线性减压的措施。

使用播送扫描的措施。

使用基于代码的压缩的措施。

多层垂直芯片测试

这波及测试垂直堆叠以省俭空间和种植性能的复杂集成电路的功能和可靠性加拿大pc28在线预测飞飞。

比年来，使用硅通孔 (TSV) 的多层芯片发展连忙，被视为具有繁密潜在运用远景的有出路的本事。3D 芯片具有几个要津上风：裁汰了组件之间的流通、诽谤了能耗、增多了可拼装在一说念的部件数目、减少了搅扰并加速了电路的责任速率。该本事还不错创建具有多种功能的新开垦和电路系统。

诚然 3D 芯片有好多刚正，但也带来了一些本事挑战，尤其是在测试方面。其中一个问题是，诚然多层 3D 芯片不错完结更好的集成，但可用于测试的引脚数目仍然有限，因为它们只可舍弃在芯片的边际。这种放胆导致用于测试芯片内每个模块的资源减少，从而诽谤了轨则和不雅察芯片电路的才略，从而使测试变得愈加穷苦和复杂。

另一个挑战是，宽泛用于流通 3D 芯片不同层的硅通孔 (TSV) 容易出现制造劣势。现时的 TSV 制造工艺并非尽善尽好意思，需要种植 TSV 产量。TSV 出产过程中引入的这些新劣势使测试过程更具挑战性。

由于 3D 芯片的制作方法独到，测试起来愈加复杂。3D 芯片测试经由主要有多个门径：

键合前芯片测试：此门径在将单个芯片堆叠在一说念之前对其进行测试。宗旨是增多正常责任的芯片数目，并确保尽早发现任何有故障的芯片，以免它们插足 3D 堆叠过程。

键合中堆叠测试：此测试对部分堆叠的芯片进行，主要用于识别键合过程中可能出现的任何劣势。

键合后堆叠测试：此门径测试有余堆叠的芯片，以查验在晶圆减薄、瞄准和键合等过程中可能出现的任何新问题。它还确保 3D 堆叠和层间流通 (TSV) 正常责任。键合测试后，将计划早期测试（键合前和键合中）的完毕，以匡助诽谤总体测试资本。在此阶段，由于 3D 芯片更复杂，它还靠近与热量有关的问题，因此优化测试成立以改善冷却特地热切。

封装测试：总共芯片层王人堆叠完毕并完成最终封装后，有余拼装的3D 芯片将经过最终查验，以确保一切按预期运行，然后才能出厂。关于 3D 集成电路 (IC)，在测试过程中，既要计划传统的 2D IC 劣势和故障模子，又要计划 3D IC 特有的独到故障模子。主要有两个方面需要计划：

与 TSV 互连有关的劣势：硅通孔 (TSV) 问题可能在制造过程中、与下一层粘合过程中或 3D 堆栈的使用寿命时期出现。常见问题包括微孔导致流通不自若、针孔导致短路、种子层去除欠妥导致 TSV 之间短路、氧化或玷污导致的粘合质地问题、TSV 高度变化、芯片之间的颗粒以及粘合过程中的错位导致开路或短路。

3D 工艺导致芯片里面出现新劣势：3D 制造门径可能会引入表率测试无法发现的新劣势。举例，晶圆减薄可能会产生电气特质下落、性能变化和产量诽谤等劣势。热耗散和机械应力也可能导致劣势，在细巧堆积的较薄芯片层中，热量会积攒，而且散热方法有限。堆叠中的不同材料不错以不同的速率膨大和消弱，从而导致热应力，进而导致进一步故障。

里面（镶嵌式）中枢组件测试

在开垦内进行片上测试以确保其正常运行。

图1：镶嵌式中枢测试硬件结构

跟着集成电路本事的率先和贪图手段的种植，面前不错将通盘系统放在单个芯片上，即片上系统(SoC)。为了种植贪图成果并加速居品开发速率，类似使用中枢学问产权 (IP) 已成为 SoC 贪图中的常见作念法。然则，这种措施使测试带有镶嵌式中枢的 SoC 变得愈加穷苦。

1997 年，镶嵌式中枢测试责任构成立，旨在制定测试这些镶嵌式中枢的表率。2005 年 3 月，IEEE 董事会批准了 IEEE Std 1500，这是一种简化测试这些镶嵌式中枢过甚有关电路的表率措施。2005 年 7 月，好意思国国度表率协会 (ANSI) 认真遴荐了镶嵌式中枢测试表率，并于 2005 年 8 月发布。

测试 SoC 中的镶嵌式内核需要确保在测试过程中不错有用轨则和不雅察每个内核。可不雅察性意味着不错有余侦查 IP 内核，这不错通过使用测试侦查机制在 SoC 引脚和镶嵌式内核之间传输数据来完结。这波及将内核的数据宽度与 SoC 的数据宽度相匹配，这需要在内核周围贪图一个测试包装器以合适不同的数据大小。可轨则性是指轨则 IP 内核的才略。要测试它，需要激活 IP 内核并将其切换到测试模式，然后在测试后复返正常运行。此过程波及界说内核的运行方法以及不停它所需的轨则呐喊。

基于镶嵌式核的 SoC 测试的 IEEE 1500 表率主要由两部分构成：中枢测试结构和中枢测试谈话 (CTL)。中枢测试结构包括包装器、测试侦查机制 (TAM)、测试生成器和测试反馈器。包装器是围绕 IP 核的逻辑，提供表率的测试环境。测试侦查机制用于发送测试信息，举例测试输入和输出。测试生成器创建测试辅导，而测试反馈器则分析和比较测试完毕。

中枢测试谈话 (CTL) 是测试 IP 核时分享测试信息的表率措施。硬件测试包装器使用寄存器为 IP 核创建测试环境。这些寄存器分为三类：

包装器辅导寄存器：将测试包装器置于测试模式并驱动测试周围的中枢。

包装器数据寄存器：包括用于不停数据传输的包装器规模寄存器和包装器旁路寄存器，为数据快速通过中枢提供快捷方法。

中枢数据寄存器：指被包装器包围的中枢里面寄存器。

IEEE Std 1500 表率化了测试包装器和测试侦查机制的接口，旨在简化中枢测试和 SoC 级测试开发。为了解救中枢测试的重用和 SoC 级测试的开发，IEEE Std 1500 责任组还成立了一个 CTL 责任组。该小组匡助描画各式中枢测试所需的复杂时序信号以及如安在 SoC 级不停它们。分享的信息包括测试措施、模式、范例、测试数据、故障模子以及可测试硬件的翔实信息。

论断

先进的半导体集成电路测试波及几个要津规模，包括节能测试、多层3D芯片测试以及片上系统（SoC）中的镶嵌式内核测试。

节能测试专注于诽谤测试过程中的功耗，以防患过热和芯片的潜在损坏。

由于堆叠了多个层，3D IC 测试靠近着独到的挑战，其中硅通孔 (TSV) 中的劣势和热不停是要津问题。测试过程波及多个阶段，以便尽早发现劣势并确保芯片性能正常。

SoC 中的镶嵌式中枢测试可确保每个中枢王人能被有用侦查、轨则和测试。IEEE 1500 表率提供了一个框架，可使用测试包装器、侦查机制和特定测试谈话来测试这些中枢。

这些本事关于确保日益复杂和节能的当代芯片正常运行无荒唐至关热切。先进的半导体集成电路测试本事在确保电子开垦的可靠性、成果和性能方面弘扬着至关热切的作用。通过实施节能测试措施，贬责测试多层和垂直芯片的挑战，并衔命测试镶嵌式中枢的表率，半导体制造商不错在优化测试经由的同期种植居品的质地和功能。

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